Fabbrica di RILEVATORI, Fornitori - Produttori di RILEVATORI in Cina

APD 355 nm

È un fotodiodo a valanga di Si con un'ampia superficie fotosensibile e UV potenziati.Fornisce un'elevata sensibilità che va da UV a NIR.

INCHIESTA dettaglio
APD a 800 nm

È il fotodiodo a valanga di Si che fornisce un'elevata sensibilità che va dall'UV al NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 800 nm.

INCHIESTA dettaglio
APD 905 nm

È il fotodiodo a valanga di Si che fornisce un'elevata sensibilità che va dall'UV al NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 905 nm.

INCHIESTA dettaglio
APD 1064 nm

È il fotodiodo a valanga di Si che fornisce un'elevata sensibilità che va dall'UV al NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è 1064 nm.Reattività: 36 A/W a 1064 nm.

INCHIESTA dettaglio
Moduli APD 1064nm

È un modulo fotodiodo a valanga Si potenziato con circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

INCHIESTA dettaglio
Moduli APD InGaAs

È un modulo fotodiodo valanga di arseniuro di indio gallio con circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e di convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

INCHIESTA dettaglio
APD a quattro quadranti

Consiste di quattro stesse unità di fotodiodo a valanga di Si che fornisce un'elevata sensibilità che va da UV a NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 980 nm.Reattività: 40 A/W a 1064 nm.

INCHIESTA dettaglio
Moduli APD a quattro quadranti

Consiste di quattro stesse unità di fotodiodo a valanga Si con circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

INCHIESTA dettaglio
Moduli Si PIN da 850 nm

È un modulo fotodiodo Si PIN da 850 nm con circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

INCHIESTA dettaglio
Fotodiodo PIN Si 900nm

È un fotodiodo Si PIN che funziona in polarizzazione inversa e fornisce un'elevata sensibilità che va da UV a NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 930 nm.

INCHIESTA dettaglio
Fotodiodo Si PIN 1064nm

È un fotodiodo Si PIN che funziona in polarizzazione inversa e fornisce un'elevata sensibilità che va da UV a NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 980 nm.Reattività: 0,3 A/W a 1064 nm.

INCHIESTA dettaglio
Moduli PIN Fibra Si

Il segnale ottico viene convertito in segnale di corrente immettendo fibra ottica.Il modulo Si PIN è dotato di un circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

INCHIESTA dettaglio