Fotodiodo Si PIN da 900 nm Immagine in primo piano

Fotodiodo PIN Si 900nm

Modello: GT101Ф0.2/ GT101Ф0.5/ GT101Ф1/ GT101Ф2/ GT101Ф4/ GD3251Y/ GT101Ф8/ GD3252Y

Breve descrizione:

È un fotodiodo Si PIN che funziona in polarizzazione inversa e fornisce un'elevata sensibilità che va da UV a NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 930 nm.

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Parametro tecnico

Tag del prodotto

Caratteristiche

Struttura illuminata frontalmente
Bassa corrente di buio
Alta risposta
Alta affidabilità

Applicazioni

Comunicazione, rilevamento e portata in fibra ottica
Rivelazione ottica da UV a NIR
Rilevamento rapido dell'impulso ottico
Sistemi di controllo per l'industria

Parametro fotoelettrico（@Ta=25℃）

Articolo #	Categoria pacchetto	Diametro della superficie fotosensibile (mm)	Intervallo di risposta spettrale (nm)	Lunghezza d'onda della risposta di picco (nm)	Reattività (A/W) λ=900nm	Tempo di lievitazione λ=900nm V_R=15V R_L=50Ω(ns)	Corrente oscura V_R=15V (n / a)	Capacità di giunzione V_R=15V f=1MHz (pF)	Calo di tensione （V）
GT101Ф0.2	Tipo coassiale II, 5501, TO-46, Tipo di spina	F0.2	4～1100	930	0,63	4	0.1	0.8	>200
GT101Ф0.5		F0.5				5	0.1	1.2
GT101Ф1		Ф1.0				5	0.1	2.0
GT101Ф2	A-5	Ф2.0				7	0,5	6.0
GT101Ф4	T0-8	Ф4.0				10	1.0	20.0
GD3251Y	A-8	Ф6.0				20	10	30
GT101Ф8	T0-8	Ф8.0				20	3.0	70.0
GD3252Y	T0-8	5,8 × 5,8				25	10	35