APD 905 nm

Modello: GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P/ GD5210Y-2-5-P/ Matrice

È il fotodiodo a valanga di Si che fornisce un'elevata sensibilità che va dall'UV al NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 905 nm.

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Parametro tecnico

Chip piatto illuminato frontalmente
Risposta ad alta velocità
Alto guadagno APD
Bassa capacità di giunzione
Rumore basso
Le dimensioni dell'array e la superficie fotosensibile possono essere personalizzate.

Articolo #	Categoria pacchetto	Diametro della superficie fotosensibile (mm)	Intervallo di risposta spettrale (nm)	Lunghezza d'onda della risposta di picco (nm)	Reattività λ=905nm φe=1μW M=100 (A/W)	Tempo di risposta λ=905nm R_L=50Ω (ns)	Corrente oscura M=100 (n / a)		Coefficiente di temperatura Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Capacità totale M=100 f=1MHz (PF)	Guasto voltaggio I_R=10μA （V）
Articolo #	Categoria pacchetto	Diametro della superficie fotosensibile (mm)	Intervallo di risposta spettrale (nm)	Lunghezza d'onda della risposta di picco (nm)	Reattività λ=905nm φe=1μW M=100 (A/W)	Tempo di risposta λ=905nm R_L=50Ω (ns)	Tip.	Massimo.	Coefficiente di temperatura Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Capacità totale M=100 f=1MHz (PF)	min	Massimo
GD5210Y-2-2-TO46	A-46	0.23	400～1100	905	55	0.6	0.2	1.0	0.9	1.0	130	220
GD5210Y-2-5-TO46	A-46	0,50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-8-TO46	A-46	0,80					0.8	2.0		2.0
GD5210Y-2-2-LCC3	LCC3	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-LCC3	LCC3	0,50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-2-P	Confezione in plastica	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-P	Confezione in plastica	0,50					0.4	1.0		1.2
Vettore	PCB	Personalizzato				Secondo superficie fotosensibile	Secondo superficie fotosensibile			Secondo superficie fotosensibile	160	200