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APD 1064 nm

APD 1064 nm

Modello: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Breve descrizione:

È il fotodiodo a valanga di Si che fornisce un'elevata sensibilità che va dall'UV al NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è 1064 nm.Reattività: 36 A/W a 1064 nm.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Parametro tecnico

Tag del prodotto

Caratteristiche

  • Chip piatto illuminato frontalmente
  • Risposta ad alta velocità
  • Alto guadagno APD

Applicazioni

  • Gamma laser
  • Comunicazione laser
  • Avviso laser

Parametro fotoelettrico@Ta=22±3℃

Articolo #

Categoria pacchetto

Diametro della superficie fotosensibile (mm)

Intervallo di risposta spettrale

(nm)

 

 

Calo di tensione

(V)

Reattività

M=100

λ=1064nm

(kV/W)

 

 

 

Tempo di lievitazione

(ns)

Larghezza di banda

(MHz)

Coefficiente di temperatura

Ta=-40℃~85℃

(V/℃)

 

Potenza equivalente al rumore

(pW/√Hz)

 

Concentricità (μm)

Tipo sostituito in altri paesi

GD6212Y

 

 

A-8

 

0.8

 

 

40~1100

350~500

150

8.8

40

2.2

0,15

≤50

C30950

GD6213Y

200

2

175

C30659-1060-R8BH

GD6219Y

3

280

7

50

2.4

0,27

C30659-1060-3A


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