APD 1064 nm

Modello: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Breve descrizione:

È il fotodiodo a valanga di Si che fornisce un'elevata sensibilità che va dall'UV al NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è 1064 nm.Reattività: 36 A/W a 1064 nm.

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Parametro tecnico

Tag del prodotto

Caratteristiche

Chip piatto illuminato frontalmente
Risposta ad alta velocità
Alto guadagno APD

Applicazioni

Gamma laser
Comunicazione laser
Avviso laser

Parametro fotoelettrico（@Ta=22±3℃）

Articolo #	Categoria pacchetto	Diametro della superficie fotosensibile (mm)	Intervallo di risposta spettrale (nm)	Calo di tensione （V）	Reattività M=100 λ=1064nm (kV/W)	Tempo di lievitazione (ns)	Larghezza di banda (MHz)	Coefficiente di temperatura Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Potenza equivalente al rumore (pW/√Hz)	Concentricità (μm)	Tipo sostituito in altri paesi
GD6212Y	A-8	0.8	40～1100	350～500	150	8.8	40	2.2	0,15	≤50	C30950
GD6213Y		0.8			200	2	175	2.2	0,15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0,27		C30659-1060-3A