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Moduli APD InGaAs

È un modulo fotodiodo valanga di arseniuro di indio gallio con circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e di convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

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APD a quattro quadranti

Consiste di quattro stesse unità di fotodiodo a valanga di Si che fornisce un'elevata sensibilità che va da UV a NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 980 nm.Reattività: 40 A/W a 1064 nm.

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Moduli APD a quattro quadranti

Consiste di quattro stesse unità di fotodiodo a valanga Si con circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

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Moduli Si PIN da 850 nm

È un modulo fotodiodo Si PIN da 850 nm con circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

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Fotodiodo PIN Si 900nm

È un fotodiodo Si PIN che funziona in polarizzazione inversa e fornisce un'elevata sensibilità che va da UV a NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 930 nm.

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Fotodiodo Si PIN 1064nm

È un fotodiodo Si PIN che funziona in polarizzazione inversa e fornisce un'elevata sensibilità che va da UV a NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 980 nm.Reattività: 0,3 A/W a 1064 nm.

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Moduli PIN Fibra Si

Il segnale ottico viene convertito in segnale di corrente immettendo fibra ottica.Il modulo Si PIN è dotato di un circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

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PIN Si a quattro quadranti

Consiste di quattro stesse unità di fotodiodo Si PIN che funziona al contrario e fornisce un'elevata sensibilità che va da UV a NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 980 nm.Reattività: 0,5 A/W a 1064 nm.

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Moduli Si PIN a quattro quadranti

Consiste in quattro unità singole o doppie di fotodiodo Si PIN con circuito di preamplificazione che consente di amplificare il segnale di corrente debole e convertirlo in segnale di tensione per ottenere il processo di conversione dell'amplificazione del segnale fotone-fotoelettrico.

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PIN Si potenziato dai raggi UV

È un fotodiodo Si PIN con UV potenziato, che funziona al contrario e fornisce un'elevata sensibilità che va dall'UV al NIR.La lunghezza d'onda della risposta di picco è di 800 nm.Reattività: 0,15 A/W a 340 nm.

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Laser YAG 1064nm -15mJ-5

È un laser Nd: YAG a commutazione Q passiva con lunghezza d'onda di 1064 nm, potenza di picco ≥15 mJ, frequenza di ripetizione dell'impulso 1~5 hz (regolabile) e angolo di divergenza ≤8 mrad.Inoltre, è un laser piccolo e leggero e in grado di raggiungere un'elevata emissione di energia che può essere una fonte di luce ideale di distanza variabile per alcuni scenari che hanno rigidi requisiti di volume e peso, come il combattimento individuale e l'UAV si applica in alcuni scenari.

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1064nm YAG Laser-15mJ-20

È un laser Nd：YAG Q-switched passivamente con lunghezza d'onda di 1064nm, potenza di picco ≥15mJ e angolo di divergenza ≤8mrad.Inoltre, è un laser piccolo e leggero che può essere una fonte di luce ideale per lunghe distanze ad alta frequenza (20Hz).

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