Immagine in primo piano della serie PIN a tubo singolo a quattro quadranti

Serie PIN monotubo a quattro quadranti

Modello: GT111 / GT112 / GD3250Y / GD3249Y / GD3244Y / GD3245Y / GD32413Y / GD32414Y / GD32415Y

Breve descrizione:

Il dispositivo è costituito da quattro fotodiodi PIN al silicio con la stessa unità, che funzionano in condizioni di polarizzazione inversa, la risposta spettrale varia dalla luce visibile al vicino infrarosso, la lunghezza d'onda della risposta di picco è 980 nm e la risposta a 1064 nm può raggiungere fino a 0,5 A /W.

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Parametro tecnico

CARATTERISTICHE

APPLICAZIONE

Tag del prodotto

Caratteristiche fotoelettriche (＠Ta＝22±3℃)
Modello	GT111	GT112	GD3250Y	GD3249Y	GD3244Y	GD3245Y	GD32413Y	GD32414Y	GD32415Y
Forma del pacchetto	A-8	A-8	A-8	A-20	TO-31-7	TO-31-7	MBCY026-P6	A-8	MBCY026-W7W
Dimensione superficie fotosensibile (mm)	Φ4	Φ6	Φ8	Φ10	Φ10	Φ16	Φ14	Φ5.3	Φ11.3
Intervallo di risposta spettrale (nm)	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1150	400~1150
Lunghezza d'onda della risposta di picco (nm)	980	980	980	980	980	980	980	980	980
Reattività λ=1064nm(A/W)	0.3	0.3	0.3	0.3	0.4	0.4	0.4	0,5	0,5
Corrente oscura (nA)	5(v_R=40V)	7(v_R=40V)	10(v_R=40V)	15 (v_R=40V)	20 (v_R=135V)	50 (v_R=135V)	40 (v_R=135V)	4.8 (v_R=140V)	≤20(v_R=180V)
Tempo di salita In = 1064nm RL = 50Ω (ns)	15 (v_R=40V)	20 (v_R=40V)	25 (v_R=40V)	30 (v_R=40V)	20 (v_R=135V)	30 (v_R=135V)	25 (v_R=135V)	15 (v_R=140V)	20 (v_R=180V)
Capacità di giunzione f=1MHz(pF)	5(v_R=10V)	7(v_R=10V)	10(v_R=10V)	15 (v_R=10V)	10(v_R=135V)	10(v_R=135V)	16 (v_R=135V)	4.2 (v_R=140V)	10(v_R=180V)
Tensione di rottura (V)	100	100	100	100	300	300	300	≥300	≥250

Bassa corrente di buio

Alta reattività

Buona consistenza del quadrante

Piccolo punto cieco

Puntamento laser, tracciamento della guida e dispositivo di esplorazione

Microposizionamento laser, monitoraggio dello spostamento e altri sistemi di misurazione di precisione