Serie a tubo singolo 905nmAPD

Modello: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-P

Breve descrizione:

Il dispositivo è un fotodiodo a valanga al silicio, la risposta spettrale varia dalla luce visibile al vicino infrarosso e la lunghezza d'onda della risposta di picco è di 905 nm.

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Parametro tecnico

CARATTERISTICHE

APPLICAZIONE

Tag del prodotto

Caratteristiche fotoelettriche (＠Ta＝22±3℃)
Modello		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Vettore
Forma del pacchetto		A-46	A-46	A-46	LCC3	LCC3	Confezione di plastica	Confezione di plastica	PCB
Diametro superficie fotosensibile (mm)		0.23	0,50	0,80	0.23	0,50	0.23	0,50	personalizzato
Intervallo di risposta spettrale (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
Lunghezza d'onda della risposta di picco (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Reattività λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Corrente di buio M=100(nA)	Tipico	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	Secondo la fotosensibilità
Corrente di buio M=100(nA)	Massimo	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Un lato
Tempo di risposta λ=905nm R1=50Ω(ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	Secondo superficie fotosensibile
Coefficiente di temperatura della tensione di lavoro T=-40℃~85℃(V/℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
Capacità totale M=100f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Secondo superficie fotosensibile
calo di tensione IR=10μA(V)	Minimo	130	130	130	130	130	130	130	160
calo di tensione IR=10μA(V)	Massimo	220	220	220	220	220	220	220	200

Precedente: Serie a tubo singolo 800nmAPD

Prossimo: Serie a tubo singolo 1064nmAPD

Struttura del chip del piano frontale

Risposta ad alta velocità

Alto guadagno

Bassa capacità di giunzione

Rumore basso

Le dimensioni dell'array e la superficie fotosensibile possono essere personalizzate

Gamma laser

Lidar

Avviso laser